不服２００６－２１７８４

【管理番号】第１１８３０３６号
【総通号数】第１０６号
（１９）【発行国】日本国特許庁（ＪＰ）
（１２）【公報種別】特許審決公報
【発行日】平成２０年１０月３１日（２００８．１０．３１）
【種別】拒絶査定不服の審決
【審判番号】不服２００６－２１７８４（Ｐ２００６－２１７８４／Ｊ１）
【審判請求日】平成１８年９月２８日（２００６．９．２８）
【確定日】平成２０年９月１日（２００８．９．１）
【審決分類】
Ｐ１８　　．１２１－ＷＹＦ（Ｈ０１Ｌ）
【請求人】
【氏名又は名称】ローム株式会社
【住所又は居所】京都府京都市右京区西院溝崎町２１番地
【代理人】
【弁理士】
【氏名又は名称】河村　洌
【事件の表示】
　特願２００５－　１９５２２「窒化物半導体結晶層の成長方法および窒化物半導体発光素子の製法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月１０日出願公開、特開２００６－２１０５７８、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
　本願は、平成１７年　１月２７日の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。
【審決日】平成２０年８月１日（２００８．８．１）
【審判長】　【特許庁審判官】服部 秀男
【特許庁審判官】山村 浩
【特許庁審判官】吉野 公夫



（２１）【出願番号】特願２００５－１９５２２（Ｐ２００５－１９５２２）
（２２）【出願日】平成１７年１月２７日（２００５．１．２７）
（５４）【発明の名称】窒化物半導体結晶層の成長方法および窒化物半導体発光素子の製法
（５１）【国際特許分類（参考情報）】
Ｈ０１Ｌ　３３／００
Ｈ０１Ｌ　２１／２０
Ｈ０１Ｌ　２１／２０５
Ｈ０１Ｌ　２１／３３８
Ｈ０１Ｌ　２９／７７８
Ｈ０１Ｌ　２９／８１２
Ｈ０１Ｌ　３３／００
Ｈ０１Ｌ　２１／２０
Ｈ０１Ｌ　２１／２０５
Ｈ０１Ｌ　２９／８０
（６５）【公開番号】特開２００６－２１０５７８（Ｐ２００６－２１０５７８）
（４３）【公開日】平成１８年８月１０日（２００６．８．１０）
【最終処分】成立
【審決時の請求項数（発明の数）】３
【前審関与審査官】橿本　英吾

ブログのトップへ

トップページへ